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          等離子體增強化學氣相沉積系統(PECVD)有哪些部分組成?

          等離子體增強化學氣相沉積系統哪些部分組成(PECVD)?很多老師不了解PECVD的組成,下面卓聚科技小編為大家介紹一下。

          等離子體增強化學氣相沉積系統(PECVD),符合CE認證標準的三溫區CVD系統,生長樣品腔的管徑60-120mm,它是由高溫管式爐、多路高精度流量控制與供氣系統、機械泵、真空密封及測量系統、尾氣處理系統組成,極限真空度可達 10^-5 torr 。

          等離子體增強化學氣相沉積系統(PECVD)(點擊了解參數)

          等離子體增強化學氣相沉積系統(PECVD)主要特點:

          1,優勢在于各種薄膜材料、低維納米材料等的制備(尤其適用于過渡金屬二維半導體材料的生長與原位摻雜,以及多元二維材料的生長)

          2,可選配遠程等離子射頻發生系統,可用于各種薄膜材料、低維納米材料等的等離子體輔助生長、刻蝕加工與材料表面修飾(尤其適用于石墨烯、氮化硼等二維材料的無催化生長,缺陷調控,以及器件制作工藝中的殘膠去除)

          3,生長工藝設計先進,能滿足任意襯底無催化生長

          以上就是卓聚科技小編介紹的等離子體增強化學氣相沉積系統(PECVD)有哪些部分組成,如果您想要了解更多,歡迎咨詢15601314981

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